In掺杂对水热法合成ZnO晶体形貌的影响

• 作者: 李哲 王伟伟 罗小平 胡志鹏 董国义 韦志仁 高平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 水热法 晶体 三氧化二铟
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 755-758
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 1287字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.009

摘要

本文采用水热法,在ZnO中添加In2O3为前驱物,3mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24h,制备了掺In的ZnO晶体.未掺杂In2O3合成的纯ZnO晶体呈六棱锥状,显露负极面-c{0001}、六棱锥面+p{1011}和-p{1011},一般不显露{0001}面.前驱物中掺杂In2O3所合成的ZnO晶体呈六角片状,直径约为5～20 μm,大面积显露{0001}面,另外还显露正锥面+p{1011}、负锥面-p{1011}和负极面-c{0001}.由此可见In掺杂可以明显的改变晶体的形态,使c轴极性快速生长趋向得到明显改善,有利于降低晶体生长缺陷.当采用ZnO晶片为籽晶时,通过水热反应在晶片上生长了一层掺In的ZnO薄膜,通过Hall参数测量得到晶体膜层的电子迁移率约为22cm2/(V·s),载流子浓度约为2×1020 cm-3,具有良好的导电性,同时也说明In可以微量掺入氧化锌晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韦志仁	河北大学物理科学与技术学院	66	570	13.0	20.0
2	王伟伟	河北大学物理科学与技术学院	12	205	7.0	12.0
3	董国义	河北大学物理科学与技术学院	58	363	11.0	16.0
4	李哲	河北大学物理科学与技术学院	18	84	6.0	8.0
5	胡志鹏	河北大学物理科学与技术学院	8	38	5.0	6.0
6	罗小平	河北大学物理科学与技术学院	9	52	5.0	7.0
7	高平	河北大学物理科学与技术学院	11	55	5.0	7.0