光化学氧化对多孔硅稳定性及SO2传感性能影响

• 作者: 杨建春 王力春 黎学明
• 来源期刊: 应用化学
• 学科: 化学
• 关键词: SO2 多孔硅 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 512-516
• 页数: 5页
• 分类号: O644.1
• 字数: 3547字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0518.2007.05.006

摘要

采用光化学氧化方法对多孔硅进行后处理,获得具有良好稳定性的氧化多孔硅;采用SEM、AFM、FT-IR进行表征;通过SO2传感实验,评价其光致发光谱的变化.结果表明,采用电化学阳极氧化制备的新鲜多孔硅在空气中稳定性较差,SEM图表明其膜层分布有120×40 μm的长方形小块,光化学氧化后使该长方形小块进一步分裂变细;AFM图表明,新鲜制备的多孔硅经稳定化处理后,表面硅柱宽度由700～750 nm变为300～350 nm,高度由50～58 nm变为40 nm;出现Si-O键(1 114 cm-1)和OSi-H键(2 249 cm-1)的振动峰;该氧化多孔硅在SO2介质中呈可逆的荧光猝灭特征,荧光峰的位置不随SO2浓度变化而发生移动,稳定性较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黎学明	重庆大学化学化工学院	99	889	17.0	25.0
2	王力春	重庆大学化学化工学院	2	8	2.0	2.0
3	杨建春	教育部光电技术及系统重点实验室	1	2	1.0	1.0