单壁碳纳米管场发射计算

• 作者: 宋开颜 武鹤楠 王帅 郭连权 韩东 马贺
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单壁碳纳米管 场增强因子 阈值 场发射
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 847-852,788
• 页数: 7页
• 分类号: O73
• 字数: 3213字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.029

摘要

本文以Maxwell电磁场理论为基础,对金属型单壁碳纳米管场发射阴极尖端附近的电场进行了计算,给出了不同结构单壁碳纳米管尖端附近的电场分布,发现场强沿管的径向及轴向方向随与管尖端距离的增加而迅速下降,说明了碳纳米管产生的激发场为极强的小范围局域场.通过计算不同几何尺寸单壁碳纳米管的场增强因子随其长度、半径的变化曲线,发现单壁碳纳米管的场增强因子数值非常大,并且根据曲线的变化规律可知,越细越长的单壁碳纳米管具有更大的场增强因子,同时也表明了单壁碳纳米管作为场发射阴极具有低的阈值和大的发射电流密度.本文所得结果为单壁碳纳米管做场发射材料提供了理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭连权	沈阳工业大学理学院	25	134	7.0	10.0
2	马贺	沈阳工业大学理学院	19	73	5.0	7.0
3	宋开颜	沈阳工业大学理学院	8	30	3.0	5.0
4	武鹤楠	沈阳工业大学理学院	6	26	2.0	5.0
5	王帅	沈阳工业大学理学院	22	58	5.0	7.0
6	韩东	沈阳工业大学理学院	5	18	2.0	4.0