紧束缚分子动力学模拟纳米硅管的稳定结构

• 作者: 尚游 李延龄
• 来源期刊: 河南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米硅管 模拟退火 紧束缚分子动力学
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 67-70
• 页数: 4页
• 分类号: O469|O561.1
• 字数: 2624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2367.2007.03.021

摘要

利用紧束缚分子动力学退火方法模拟研究了纳米硅管(SiNT)的稳定结构和基态能量,结果表明:几何结构特征对纳米硅管的结合能有重要影响,平均键长为0.236 4 nm,表面为双层原子面,具有很高的亚稳性,锯齿型管比扶手椅型管的原子结合能大0.051 eV/atom,SiNT(m,m)(m=2-4)不具有管状结构,SiNT(2,2)可以作为单元形成硅纳米线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李延龄	徐州师范大学物理与电子工程学院	11	25	3.0	5.0
2	尚游	平原大学信息工程学院	2	0	0.0	0.0