高功率超短脉冲激光的远场描述方法

• 作者: 刘兰琴 彭翰生 朱启华 王逍 魏晓峰
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 高功率超短脉冲 聚焦光斑 远场 Strehl比
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: ICF与激光等离子体
• 页码范围: 1492-1496
• 页数: 5页
• 分类号: O437
• 字数: 3665字
• 语种: 中文

摘要

以随机统计和数值模拟为研究手段,对高功率超短脉冲激光的远场描述方法进行了分析研究.结果表明:对理想超高斯光束,半高全宽内包含的能量百分数最大不超过70%,且随着阶数增大而逐渐降低.在光束质量较好时,远场焦斑的半高全宽基本保持不变.由焦斑的半高全宽计算得到的聚焦功率密度,与半高全宽之间没有明确的关系,但与Strehl比以及半高全宽内包含的能量之间具有明确的线性增长关系.对追求高的功率密度的激光脉冲,单纯用半高全宽或者几倍的衍射极限来描述远场是远远不够的,用Strehl比或者半高全宽内包含的能量百分数来表征功率密度更为恰当.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏晓峰	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	73	403	11.0	15.0
2	刘兰琴	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	39	123	6.0	9.0
3	朱启华	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	104	641	13.0	19.0
4	彭翰生	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	13	285	6.0	13.0
5	王逍	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	28	141	9.0	10.0