氮化制度对Si-Al-Al2O3体系合成Sialon的影响

• 作者: 任耘 刘小团 尹洪峰 张军战 袁志丽 袁蝴蝶 马啸尘
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: Sialon 氮化制度 残余Si
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1189-1192,1201
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.758
• 字数: 1922字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2007.06.029

摘要

以SiC、α-Al2O3微粉、Si粉、Al粉为原料,在1450℃流动氮气中制备Sialon/SiC材料.研究了不同温度保温氮化对Sialon合成的影响.研究结果表明:有部分硅粉残余没有氮化;在1100℃保温氮化的氮化率高于在1150℃、1200℃保温氮化;1100℃保温氮化,残余Si量少、分布均匀,残余硅熔聚现象较轻,利于Sialon的合成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张军战	西安建筑科技大学材料学院	52	232	9.0	13.0
2	任耘	西安建筑科技大学材料学院	43	260	9.0	14.0
3	尹洪峰	西安建筑科技大学材料学院	96	536	13.0	17.0
4	袁蝴蝶	西安建筑科技大学材料学院	37	157	7.0	10.0
5	马啸尘	西安建筑科技大学材料学院	17	35	4.0	5.0
6	刘小团	西安建筑科技大学材料学院	6	30	4.0	5.0
7	袁志丽	西安建筑科技大学材料学院	6	19	3.0	4.0