pH值对KDP晶体位错结构的影响

• 作者: 张国辉 李晓兵 滕冰 王东娟 王庆国 钟德高 鲁晓东
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: KDP晶体 位错 化学腐蚀 透过率 pH值
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 501-506
• 页数: 6页
• 分类号: O782
• 字数: 2213字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.03.005

摘要

在一定的过饱和度下,分别用点状和片状籽晶在不同pH值溶液中生长出了KDP晶体.利用化学腐蚀法对KDP晶体的不同晶面进行了腐蚀,得到了清晰的位错蚀坑.应用光学显微镜对位错蚀坑的分布特点和密度做了观察分析,发现很多位错蚀坑成线状排布.pH值对KDP晶体位错密度有较大影响,低pH值条件下生长出的晶体位错密度较大.测试了KDP晶体样本的透过率,结果表明位错密度对KDP晶体的透过率没有明显的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晓兵	青岛大学物理科学学院	7	79	5.0	7.0
2	滕冰	青岛大学物理科学学院	20	105	6.0	9.0
3	钟德高	青岛大学物理科学学院	16	99	6.0	9.0
4	王庆国	青岛大学物理科学学院	7	62	5.0	7.0
5	张国辉	济南大学材料科学与工程学院	28	217	8.0	13.0
6	鲁晓东	青岛大学物理科学学院	5	58	4.0	5.0
7	王东娟	青岛大学物理科学学院	6	42	4.0	6.0