利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子

• 作者: 唐九耀 李晓林 柯敏 王育竹 颜波
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 原子芯片 Z形磁阱 阱深 磁阱装载
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 6367-6372
• 页数: 6页
• 分类号: O56
• 字数: 5752字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.034

摘要

利用解析和数值方法计算了Z形磁阱的囚禁势,发现当囚禁中心和芯片表面距离较远时(该距离和Z形线中部导线的一半长度相差不超过一个量级),势阱的深度不能近似表示成偏置磁场By对应的能量,而要减去囚禁中心的势能高度;而增加By进行磁阱压缩到一定值时,势阱深度反而会下降.此外介绍了原子芯片的制作方法,以及利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子的实验装置和实验过程.最终有2×106个87Rb原子被转移到Z形磁阱中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晓林	中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学重点实验室	56	703	12.0	25.0
5	唐九耀	浙江大学物理系	16	198	7.0	14.0
6	王育竹		51	222	8.0	13.0
9	颜波	中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学重点实验室	2	5	1.0	2.0
13	柯敏	中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学重点实验室	2	8	2.0	2.0