半导体激光不同累积能量照射后牙本质的改变

• 作者: 杨小妮 沃小蓉 王敏 程政
• 来源期刊: 陕西医学杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 牙本质过敏/治疗 激光疗法,小剂量/方法 半导体
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 临床研究
• 页码范围: 310-312
• 页数: 3页
• 分类号: R78
• 字数: 1588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7377.2007.03.018

摘要

目的:探讨临床应用半导体激光治疗牙本质过敏症的最佳参数值.方法:选择离体上下颌第一、二恒磨牙,用单面金刚砂片垂直于牙长轴在牙面牙尖下1.0 mm和2.5mm二处切断,制成1.5 mm厚的牙片15张.选用不同功率的激光照射牙本质片,每种功率激光分别照射180s、240s和300s.牙本质片经常规固定、包埋、切片、染色后,光学显微镜下观察牙本质的组织学变化.结果:不同功率的激光经不同照射时间照射牙本质片后,均可封闭牙本质小管.激光功率不变时,牙本质小管的封闭厚度随照射时间的增加而增加;照射时间相同时,牙本质小管的封闭厚度随激光功率的增加而增加,且具有显著性差异.在激光功率为0.5W时,个别样本在激光照射区域牙本质中心处有凹坑出现.结论:激光功率0.4W,照射时间300s条件下,牙本质小管封闭厚度较厚,且不出现凹坑现象,可作为半导体激光脱敏的最佳参考数值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王敏		108	817	14.0	26.0
2	程政		13	44	5.0	6.0
3	沃小蓉		4	13	2.0	3.0
4	杨小妮		2	12	2.0	2.0