Ce:KNSBN晶体中的光扇效应及其图像存储

• 作者: 庞立斌 李盼来 梁宝来 王志军 郭庆林
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: Ce:KNSBN晶体 光扇效应 阈值特性 图像存储
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TP3
• 字数: 3331字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2007.01.004

摘要

采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置, 以单束光入射Ce:KNSBN光折变晶体, 研究了入射光强度和光入射角对Ce:KNSBN晶体中光扇效应的影响. 研究发现, 光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性, 入射光强度阈值为38.2 mW/cm2; 对应相同的入射光强度, 光入射角( 为15°时稳态光扇强度Ifsat最强. 研究了入射光调制对晶体中光扇噪声及体全息存储的影响, 入射光调制抑制了光扇噪声对Ce:KNSBN晶体两波耦合及体全息存储的影响, 使得再现图像质量得到了明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭庆林	河北大学物理科学与技术学院	129	861	16.0	21.0
2	梁宝来	河北大学物理科学与技术学院	24	87	6.0	7.0
3	李盼来	河北大学物理科学与技术学院	96	921	18.0	25.0
4	王志军	河北大学物理科学与技术学院	78	570	15.0	19.0
5	庞立斌	河北大学物理科学与技术学院	9	36	4.0	5.0