Ce:KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响

• 作者: 怀素芳 李彦 李旭 李盼来 邓桂英 郭庆林
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光折变 写入光 耦合位置 Ce:KNSBN晶体 有效增益
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 1509-1513
• 分类号: O438
• 字数: 2510字
• 语种: 中文

摘要

本文采用非同时读出条件下两波耦合实验装置,以532 nm的单频固体激光器为光源,在不同写入光夹角θ、抽运光的偏振方向与e偏振光的方向呈10°、信号光为e偏振光及不同信号光与抽运光光强比条件下,通过改变写入光在Ce: KNSBN晶体内的不同位置研究其对两波耦合有效增益的影响.研究结果表明,在相同角度下写入光强比为1: 10,写入光在晶体内位置d=0.1 cm时最佳,有效增益达到最大.在最佳写入光位置,写入光强比为1: 10时,在写入光夹角为24°时两波耦合有效增益为最大.并对实验结果进行了理论拟合与分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭庆林	河北大学物理科学与技术学院	129	861	16.0	21.0
2	怀素芳	河北大学物理科学与技术学院	41	265	10.0	14.0
3	李盼来	河北大学物理科学与技术学院	96	921	18.0	25.0
4	李旭	河北大学物理科学与技术学院	104	934	18.0	26.0
5	李彦	河北大学物理科学与技术学院	14	7	2.0	2.0
6	邓桂英	河北大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0