适用于Flash Memory的负高压泵的实现

• 作者: 周钦 程君侠 钱松
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 半导体技术 快闪存储器 电荷泵 负高压 三阱工艺
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.01.006

摘要

提出一种适用于单电源,低电压供电的Flash Memory的负高压电荷泵的实现方法.在分析传统电荷泵工作原理的基础上,结合Flash工作电压和参数要求,提出三阱工艺,无阈值损失的负高压电荷泵电路结构.最后在0.22μm Flash工艺下给出测试结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程君侠	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	32	310	9.0	17.0
2	周钦	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	8	57	4.0	7.0
3	钱松	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	2	32	2.0	2.0