ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化陶瓷膜层形成过程研究

• 作者: 刘向东 吕凯 王力杰 王晓军 韩春霞
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: ZAlSi12Cu2Mg1 微弧氧化 陶瓷膜层
• 年，卷（期）: 2007,（z3）
• 页码范围: 581-584
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.4
• 字数: 3375字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185x.2007.z3.140

摘要

通过控制微弧氧化时间,研究了ZAlSi12Cu2Mg1在不同氧化时间下膜层的生长过程,分析了氧化过程中正向电流密度、膜层厚度的变化.结果表明:微弧氧化阶段又分为氧化过渡阶段和氧化烧结阶段.氧化过渡阶段陶瓷层以向外生长为主;生成Al2O3非晶氧化物;氧化烧结阶段膜层以向内生长为主,此阶段膜层生长速率最快,生成Al2O3晶体和莫来石.氧化烧结阶段对陶瓷膜层的形成起重要作用,对氧化烧结阶段的控制可直接影响膜层的厚度以及膜层中Al2O3晶体含量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘向东		106	541	11.0	18.0
2	吕凯		34	133	7.0	10.0
3	王晓军		8	53	4.0	7.0
4	韩春霞		6	32	4.0	5.0
5	王力杰		6	7	2.0	2.0