一种背栅极冷阴极器件中纳米线表面电场的分析

• 作者: 夏玉学 曾乐勇 梁静秋 王维彪 陈松 雷达
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米线 冷阴极器件 场发射
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 2269-2274
• 页数: 6页
• 分类号: O462.4
• 字数: 4940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.06.076

摘要

利用静电场理论计算了背栅极冷阴极器件的纳米线附近电场,给出电场分布的表示式及J-V曲线,并分析了几何参数对纳米线顶端表面电场的影响.结果表明,纳米线顶端表面产生巨大的电场,随着离纳米线顶端表面距离的增大,电场迅速下降;纳米线突出栅孔的长度(L-d1)越大,纳米线半径r0、栅孔半径R以及栅极与阳极间距d2越小,则纳米线顶端表面电场越强,而d2较大时d2对表面电场的影响很弱;纳米线顶端边缘电流密度J随着阳极与栅极电压的增加而指数增大.