嵌入式低压降线性稳压器设计与分析

• 作者: 来新泉 谢飞 郑重
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SOC 稳定性 LDO 密勒补偿 等效串联电阻(ESR) BCD高压工艺
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1230-1233
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2984字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.026

摘要

以LDO内置在音频功率放大器等系统级芯片(SOC)中实现内部供电电源为目的,给出了一种简单的高精度、宽输入电压范围LDO线性稳压器,采用TSMC 0.6 μm BCD高压工艺实现.与传统方法相比,该电路在温度系数、频率补偿、输出瞬态响应等关键参数指标上有所改进,输出电压作为内部供电电源所需具备的稳定性精度为±1.2%,最大输出负载电流为30 mA.