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TMS320VC5509的片外扩展存储系统设计
TMS320VC5509的片外扩展存储系统设计
作者:
丁德胜
宋华山
胡建学
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
DSP
EMIF
SDRAM
命令
摘要:
介绍了利用IS42S16400A同步动态RAM(SDRAM)扩展TMS320VC5509DSP系统外部存储空间的设计方法.在研究了IS42S16400A的工作特性和C5509EMIF(External Memory Interface)性能的基础上,详细讨论了配置EMIF访问SDRAM的步骤、SDRAM的初始化和自动刷新.随后讲述了EMIF对SDRAM的控制,分别给出了各种控制命令与EMIF引脚的对应关系、命令的实现过程,并具体介绍了C5509与IS42S16400A硬件接口的实现和相应的寄存器配置程序.
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文献信息
篇名
TMS320VC5509的片外扩展存储系统设计
来源期刊
电子器件
学科
工学
关键词
DSP
EMIF
SDRAM
命令
年,卷(期)
2007,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
725-728
页数
4页
分类号
TP332
字数
3158字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.098
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
宋华山
东南大学电子科学与工程学院
2
19
2.0
2.0
2
胡建学
东南大学电子科学与工程学院
2
19
2.0
2.0
3
丁德胜
东南大学电子科学与工程学院
15
38
4.0
5.0
传播情况
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引证文献(2)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
DSP
EMIF
SDRAM
命令
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
主办单位:
东南大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1005-9490
CN:
32-1416/TN
开本:
大16开
出版地:
南京市四牌楼2号
邮发代号:
创刊时间:
1978
语种:
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
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