一系列单硅烷-寡聚噻吩共聚高分子膜中电荷传导研究

• 作者: 播磨裕 蒋晓青
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 迁移率 寡聚噻吩 共聚物 电荷传导 掺杂
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 页码范围: 1403-1407
• 页数: 5页
• 分类号: O631|O646|O657
• 字数: 4385字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2007.07.038

摘要

研究了一系列由单硅烷和寡聚噻吩组成的共聚高分子膜(PSnT, n表示寡聚噻吩单元中噻吩环的个数)在较宽掺杂率范围内载流子的迁移率变化规律. 结果表明, 掺杂率极低(＜0.2%)时各膜中的载流子迁移率接近, 几乎不受n的影响; 随着膜的掺杂率的增加, 各PSnT膜中的迁移率相继增大, n增大, 迁移率在更低的掺杂率处开始增大, 其增幅随着n的增加而增大. PS14T迁移率的增幅超过4个数量级, 已与电化学合成的聚噻吩膜中观察到的迁移率增幅相当, 表明此共聚物中的π-共轭长度已足以再现聚噻吩传导性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋晓青	南京师范大学化学与环境科学学院	8	54	3.0	7.0