La0.82Te0.18MnO3薄膜的庞磁电阻效应及光诱导特性

• 作者: 宋宙模 王建元 王永仓 陈长乐 韩立安 高国棉
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: LTMO薄膜 电子掺杂 CMR效应 光诱导效应
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 644-647
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3295字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2007.04.019

摘要

用脉冲激光沉积(PLD)法在LaAlO3单晶衬底上制备了VIA族非金属元素Te掺杂的La0.82Te0.18MnO3(LTMO)薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(012)方向择优生长;电阻-温度关系显示,该材料存在金属-绝缘体转变特性和庞磁电阻(CMR)效应;在0.7 T的磁场作用下,薄膜的磁电阻最大值为30.6%,对应的温度在263 K.而室温(303 K)磁电阻值为4.8%;拟合分析表明,薄膜在低温区是单磁子散射,在高温区满足小极化子输运模型.在波长为532 nm的绿激光作用下,在253 K,光致电阻变化率达到最大值33.6%;分析认为这可能是由于光激发会改变材料中的磁有序,减弱双交换作用,进而改变电子的输运性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈长乐		144	734	13.0	20.0
2	王建元		28	293	6.0	17.0
3	高国棉		23	239	7.0	15.0
5	王永仓		19	171	4.0	12.0
7	宋宙模		20	125	6.0	10.0
8	韩立安		12	64	5.0	7.0