一种用于MEMS电场传感器的CMOS可控增益前置放大电路

• 作者: 夏善红 尹韬 崔国平 李策 杨海钢
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 可控增益 长沟道晶体管 MEMS电场传感器 前置放大
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 837-840
• 页数: 4页
• 分类号: TN492
• 字数: 2219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.028

摘要

为了将基于MEMS技术的微型电场传感器与其信号处理电路集成在一个芯片上,设计了一种CMOS前置放大电路.该电路利用工作在线性区的长沟道MOSFET晶体管代替传统的无源器件做反馈来降低所占硅片面积,使用分流原理构建分流网络产生可编程的偏置电流来控制放大电路的增益.仿真结果表明该电路结构具有较好的线性度和很好的温度特性,长沟道晶体管的等效电阻与偏置电流相关,可以达到兆欧量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏善红	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	111	654	14.0	18.0
2	崔国平	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
6	杨海钢	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	134	485	10.0	15.0
7	尹韬	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	28	136	6.0	11.0
11	李策	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	6	33	3.0	5.0