温和的苯热溶剂条件下GaP纳米棒的形成机理研究

• 作者: 姜玮 张江 方鲲 曹传宝 朱鹤孙 高善民
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米GaP 苯热 SIS生长机理
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3488-3492
• 页数: 5页
• 分类号: O46
• 字数: 3810字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.074

摘要

采用金属Na,白磷和GaCl3为原料,在温和的苯热溶剂条件下制备了直径为20-40 nm,长度为200-500nm的GaP纳米棒和直径为20-40nm的球形颗粒.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了反应条件对产物结晶性和形貌的影响.实验结果表明,当反应温度低于250℃时,产物基本上为GaP纳米棒,并随着反应温度升高,产物逐渐转化为球形纳米颗粒;当反应温度超过280℃时,产物完全为规则的球形.同时,GaP纳米棒的生长遵循SIS生长机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张江	烟台师范学院化学与材料科学学院	21	112	6.0	9.0
2	曹传宝	北京理工大学材料科学研究中心	65	754	16.0	23.0
3	朱鹤孙	北京理工大学材料科学研究中心	81	1121	19.0	28.0
4	方鲲	北京理工大学材料科学研究中心	7	67	4.0	7.0
5	高善民	烟台师范学院化学与材料科学学院	7	21	3.0	4.0
6	姜玮	烟台师范学院化学与材料科学学院	2	24	1.0	2.0