大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管

• 作者: 刘静 王彩琳 马丽 高勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 快速软恢复 大功率低功耗 SiGeC/Si异质结功率二极管
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7236-7241
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.071

摘要

为满足电力电子电路对功率开关二极管高频化的发展要求,提出了一种大功率低功耗快速软恢复p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管.与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降减少了约1/5,有效降低了器件的通态功耗;反向恢复时间缩短了一半多,反向峰值电流降低了约25%,软度因子提高了1.3倍,而反向阻断电压和反向漏电流基本不发生变化.研究发现,Ge和C的含量是影响p+(SiGeC)-n--n+二极管特性的重要参数,这为器件结构设计提供了更大的自由度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马丽	西安理工大学应用物理系	23	62	4.0	6.0
2	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
3	刘静	西安理工大学电子工程系	58	261	8.0	14.0
4	王彩琳	西安理工大学电子工程系	43	203	8.0	12.0