快速软恢复SiGe功率开关二极管的结构设计与特性分析

• 作者: 余明斌 刘静 马丽 高勇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si异质结 功率二极管 快速软恢复 低漏电流
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1255-1257,1265
• 页数: 4页
• 分类号: TN313.4
• 字数: 3078字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.033

摘要

为了进一步提高SiGe/Si异质结功率开关二极管的性能,提出了一种SiGe功率开关二极管的新结构,用交替的p+、n+区形成的mosaic结构来代替原常规的n+区,关断时可同时为电子和空穴的抽取提供通道使阴极具有理想欧姆接触.该结构可大大提高开关速度,并获得很软的反向恢复特性及很低的漏电流.与常规p+(SiGe)-n--n+功率开关二极管相比,反向恢复时间缩短了近2/3,反向峰值电流降低了约1/2,漏电流降低了约1个数量级.另外,嵌镶结构中p+区的厚度对器件性能有很大影响,调整p+区的厚度可实现器件的反向耐压能力和反向恢复特性之间很好的折衷.这种性能的改进无需采用少子寿命控制技术因而很容易集成于功率IC中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马丽	西安理工大学应用物理系	23	62	4.0	6.0
2	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
3	刘静	西安理工大学电子工程系	58	261	8.0	14.0