半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管

• 作者: 马丽 高勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半超结 硅锗二极管 高压 快速软恢复
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 529-535
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.083

摘要

将SiGe材料的优异性能与半超结结构的优势相结合,提出了一种半超结SiCe功率二极管,可适应高频化电力电子电路对功率二极管低通态压降、高击穿电压、较小的反向漏电流以及快而软的反向恢复特性的要求,显著提高器件的各种特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马丽	西安理工大学应用物理系	23	62	4.0	6.0
2	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0