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摘要:
半导体桥生成的等离子体由于温度高、尺度小、持续时间短等特点,对其温度的瞬态测量是个难题.本文采用高速数字存贮示波器应用原子发射光谱双谱线法对半导体桥等离子体温度进行了实时瞬态测量,并对在22μF电容下不同充电电压对半导体桥等离子体温度的影响进行了系统的研究,得到了22μF电容下等离子体最高温度与充电电压的关系式Tmax=700.6+115.2U.
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文献信息
篇名 半导体桥等离子体温度的原子发射光谱法测量
来源期刊 原子与分子物理学报 学科 化学
关键词 半导体桥 等离子体 温度测量 原子发射光谱
年,卷(期) 2008,(2) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 313-316
页数 4页 分类号 O536|O657
字数 1581字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-0364.2008.02.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张琳 南京理工大学化工学院 67 748 13.0 25.0
2 周彬 南京理工大学化工学院 53 505 12.0 20.0
3 秦志春 南京理工大学化工学院 46 482 12.0 20.0
4 田桂蓉 南京理工大学化工学院 18 181 7.0 13.0
5 张文超 南京理工大学化工学院 25 152 8.0 11.0
6 叶家海 南京理工大学化工学院 16 77 5.0 8.0
7 王文 南京理工大学化工学院 6 22 3.0 4.0
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研究主题发展历程
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半导体桥
等离子体
温度测量
原子发射光谱
研究起点
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
原子与分子物理学报
双月刊
1000-0364
51-1199/O4
大16开
成都市一环路南一段24号
62-54
1986
chi
出版文献量(篇)
4271
总下载数(次)
1
总被引数(次)
10724
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