808 nm大功率连续半导体激光器研究

• 作者: 李雅静 杜伟华 杨红伟 王薇 陈国鹰 陈宏泰
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机物化学气相淀积 压应变 半导体激光器 腔面反射率 斜率效率
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 444-447
• 页数: 4页
• 分类号: TN365|TN304.055
• 字数: 1922字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.08.003

摘要

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了AlGaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱材料,利用该材料制成3 mm宽、填充因子20%的半导体激光器阵列(版型100μm/500μm,6个发光单元),通过腔面反射率设计确定了最佳反射率,采用CS载体标准封装.在输入电流8 A、水冷19℃条件下测试,输出功率达到8.4 W,阂值电流为1.8 A,斜率效率为1.26 W/A,功率转换效率为59.4%,波长为805.7 nm,光谱半宽为1.8 nm;输入电流12 A时,输出功率达到13 W,斜率效率为1.22 W/A,功率转换效率为58.9%,波长为807.9 nm,光谱半宽为2.0 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈宏泰	中国电子科技集团公司第十三研究所	25	102	6.0	8.0
2	陈国鹰	河北工业大学信息工程学院	62	307	9.0	12.0
3	杨红伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	23	87	6.0	7.0
4	杜伟华	河北工业大学信息工程学院	5	17	3.0	4.0
8	李雅静	河北工业大学信息工程学院	5	25	3.0	5.0
12	王薇	河北工业大学信息工程学院	3	6	2.0	2.0