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Annexin V/PI双标记检测高电压脉冲电场诱导K562细胞凋亡的研究
Annexin V/PI双标记检测高电压脉冲电场诱导K562细胞凋亡的研究
作者:
吴威
宋艳秋
方艳秋
段秀梅
殷涌光
许淑芬
谭岩
车媛媛
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
高电压脉冲电场
K562细胞
淋巴细胞
凋亡
摘要:
目的:探讨高电压脉冲电场诱导红白血病细胞K562和淋巴细胞凋亡的最佳参数.方法:调节电场强度和脉冲频率分别作用K562细胞和淋巴细胞后,用Annexin V/PI Kit标记凋亡细胞,流式细胞术检测凋亡细胞的百分比;设计正交试验确定电场诱导K562细胞凋亡的最优参数组合; 电场作用K562细胞与淋巴细胞(1∶ 1)混合悬液进行选择性诱导凋亡;MTT法检测电场作用后的K562细胞与淋巴细胞的增殖.结果:K562细胞的凋亡率随着脉冲频率的增加而升高,当脉冲频率为30 Hz时,凋亡率高达79.13%;K562细胞和淋巴细胞的凋亡率均随着电场强度的增加而升高,在电场强度达到30 kV/cm时,二者的凋亡率分别达82.40%、57.08%.诱导K562细胞凋亡的最优参数组合为脉冲宽度1 μs、电场场强25 kV/cm、脉冲个数为12个.K562细胞与淋巴细胞混合液在电场作用下发生凋亡的细胞百分比具有显著性差异(P<0.05);K562细胞与淋巴细胞经相同条件的电场作用后,二者生存率比较,差异显著(P<0.05).结论:利用高电压脉冲电场使癌细胞选择性失活是可行的.
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文献信息
篇名
Annexin V/PI双标记检测高电压脉冲电场诱导K562细胞凋亡的研究
来源期刊
中国免疫学杂志
学科
医学
关键词
高电压脉冲电场
K562细胞
淋巴细胞
凋亡
年,卷(期)
2008,(2)
所属期刊栏目
免疫学技术与方法
研究方向
页码范围
161-166
页数
6页
分类号
R392.1
字数
4675字
语种
中文
DOI
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作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
谭岩
吉林大学第一医院中心实验室
135
608
9.0
17.0
2
段秀梅
吉林大学第一医院中心实验室
63
241
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12.0
3
殷涌光
吉林大学生物与农业工程学院
149
1725
22.0
31.0
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方艳秋
吉林大学第一医院中心实验室
76
250
7.0
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5
许淑芬
吉林大学第一医院中心实验室
37
200
6.0
13.0
6
宋艳秋
吉林第一医院血液科
1
1
1.0
1.0
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车媛媛
吉林大学第一医院中心实验室
7
24
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吉林大学生物与农业工程学院
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
高电压脉冲电场
K562细胞
淋巴细胞
凋亡
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国免疫学杂志
主办单位:
中国免疫学会
吉林省医学期刊社
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-484X
CN:
22-1126/R
开本:
大16开
出版地:
长春市建政路971号
邮发代号:
12-89
创刊时间:
1985
语种:
chi
出版文献量(篇)
7702
总下载数(次)
13
总被引数(次)
40225
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