硅材料的太赫兹波频域特性分析

• 作者: 李九生 李建蕊
• 来源期刊: 中国计量学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 返波振荡器 N型硅 吸收系数 载流子
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 70-72,81
• 页数: 4页
• 分类号: O433.5
• 字数: 1148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1540.2008.01.014

摘要

对不同电阻率的N型硅材料(电阻率从5～100 Ω·cm)在太赫兹波波段的折射率、消光系数和吸收系数等特性参数,利用返波振荡器(BWO)太赫兹波系统进行了测试、计算和分析,得到N型硅在0.23 THz到0.375 THz频段范围内的光学特性.表明在这一波段N型硅的太赫兹波吸收系数随着电阻率的增加而减小,吸收系数最小值可达到3.39×10-4 cm- 1.分析表明,它将是潜在的太赫兹波波导的最佳候选材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李九生	中国计量学院信息工程学院	55	232	9.0	13.0
2	李建蕊	中国计量学院信息工程学院	8	64	4.0	8.0