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纳米多孔氧化硅的制备及荧光光谱研究
纳米多孔氧化硅的制备及荧光光谱研究
作者:
曹小龙
李清山
车永莉
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
光电子学
多孔氧化硅
阳极氧化
荧光光谱
摘要:
为了制作性能良好的光电子集成、光波导等器件,研究纳米多孔氧化硅膜的制备和表征具有重要意义.采用高温氧化多孔硅的方法制备了纳米多孔氧化硅,进行了两种样品的荧光光谱和傅里叶变换红外吸收谱对比检测.相比于多孔硅,多孔氧化硅的发光峰值向短波方向"蓝移"并且发光强度明显降低.多孔硅表面基本是由氢饱和的,而经氧化后的多孔氧化硅表面的Si-H键大部分被Si-O键所代替.结果表明,量子限制效应是样品的荧光光谱"蓝移"的原因,而发光强度的降低则归因于样品表面辐射复合中心的减少和内部纳米硅柱(硅晶粒)尺寸的减小.
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文献信息
篇名
纳米多孔氧化硅的制备及荧光光谱研究
来源期刊
激光技术
学科
工学
关键词
光电子学
多孔氧化硅
阳极氧化
荧光光谱
年,卷(期)
2008,(6)
所属期刊栏目
激光材料与光学元件
研究方向
页码范围
605-607
页数
3页
分类号
TB383
字数
2600字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
曹小龙
曲阜师范大学计算机科学学院
9
37
4.0
6.0
2
李清山
曲阜师范大学物理工程学院
57
249
9.0
12.0
3
车永莉
曲阜师范大学信息技术与传播学院
8
36
4.0
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光电子学
多孔氧化硅
阳极氧化
荧光光谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
激光技术
主办单位:
西南技术物理研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-3806
CN:
51-1125/TN
开本:
大16开
出版地:
四川省成都市238信箱
邮发代号:
62-74
创刊时间:
1971
语种:
chi
出版文献量(篇)
4090
总下载数(次)
10
总被引数(次)
25972
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