碳辅助CVD制备氧化硅纳米线及其光学性能

• 作者: 尉吉勇 郑立仁 黄柏标
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: SiOx(x≤2)纳米线 碳辅助CVD方法 FTIR光谱 光致发光
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 250-254
• 页数: 5页
• 分类号: O612.6
• 字数: 3848字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2009.02.006

摘要

利用碳辅助CVD方法,在1100～1140 ℃、常压、N2/H2气氛下,以Fe-Al-O复合体系为催化剂,在石英衬底上制备了大量非晶氧化硅纳米线.该纳米线直径为20～200 nm,长数百微米.利用透射电镜、 扫描电镜及电子能谱对氧化硅纳米线的形貌及组分进行了表征与分析;FTIR光谱显示了非晶氧化硅的3个特征峰(482,806和1095 cm-1)和1132 cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.氧化硅纳米线的光致发光光谱(PL)表明其具有较强的438 nm荧光峰.