非对称量子阱与系统的本征值和本征函数

• 作者: 但伟 邵明珠
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超晶格 量子阱(QW) 超几何方程 单粒子能级 本征值 本征函数
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 271-274,292
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5|TN201|O174.21
• 字数: 3088字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.05.006

摘要

利用薄膜生长技术,通过控制材料的厚度来调整阱宽,控制组分来调整阱深,得到了不同光电特性的超晶格半导体材料.为克服"方形"势阱过于简单和理想的缺点,引入非对称相互作用势来描述组分超晶格量子阱.在量子力学框架内,把电子的Schrodinger方程转化为超几何方程,用系统参数和超几何函数严格地求解了电子的本征值和本征函数,并以Ga1-xAlxAs-GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子的带内跃迁.结果表明,阱内的能级数目和跃迁能量与系统参数有关,适当调节参数可得到不同光电性能的超晶格量子阱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	但伟		6	18	3.0	4.0
2	邵明珠		1	3	1.0	1.0