工艺参数对钴纳米线的结构和磁性能的影响

• 作者: 乔晓光 张湘义
• 来源期刊: 河北工业科技
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁性纳米线 磁各向异性 晶向择优取向 矫顽力 剩磁比
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 354-357,370
• 页数: 5页
• 分类号: O482.54
• 字数: 2691字
• 语种: 中文

摘要

通过调节沉积电流密度动态地控制钴纳米线择优生长方向,调节沉积液pH值观察其磁各向异性特点,并比较它们的磁性能.利用氧化铝模板直流恒电流电化学沉积方法,调节电流密度和pH值的大小,制备出一系列钴纳米线阵列,并利用XRD衍射仪和VSM振动磁强计测量其磁性能,包括矫顽力、剩磁比和各向异性的特点.通过调节电流制备出了包括[101]择优取向、[100]择优取向及非晶态等结构的一维钴纳米线阵列,重点分析了具有[101]择优取向纳米线阵列的特点;通过调节溶液pH值得出了纳米线磁各向异性的特点,实现了工艺参数对纳米线的结构和性能的控制,总结出了钴纳米线对于[101]择优晶向的易磁化规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张湘义	燕山大学材料科学与工程学院	30	85	6.0	7.0
2	乔晓光	燕山大学理学院	2	4	1.0	2.0