单质Si晶格稳定性的第一原理研究

• 作者: 尹健 尹志民 张传福 谢佑卿 陶辉锦
• 来源期刊: 化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: Si Gibbs能 最小二乘法 晶格稳定性 第一原理
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 914-922
• 页数: 9页
• 分类号: O6
• 字数: 6201字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0567-7351.2008.08.014

摘要

采用SGTE纯单质数据库中Gibbs能的表达式,结合JANAF热力学数据,采用最小二乘法对SGTE纯单质数据库中元素Si的Gibbs能表达式进行了重新评估,得到了比SGTE数据库更精确的结果;同时,将SGTE数据库中CALPHAD方法得到的晶格稳定参数外推至0 K,与第一原理总能赝势平面波和投影缀加波方法的结果进行了对比,发现第一原理总能赝势平面波方法得到的晶格稳定参数结果为△Gfcc-diamond＞△Ghcp-diamond＞△Gbcc-diamond＞0,与CALPHAD方法外推结果一致.同时,研究发现:第一原理总能平面波赝势方法计算的diamond-Si的晶格常数和原子体积比实验值大,fcc-,hcp-和bcc-Si的结果比第一原理投影缀加波方法的小,总能绝对值出现了类似的结果;四种结构中所有的价态电子密度分布到0至-15 eV区间,部分s态电子转化为p态电子,其中diamond-Si的转化数目最多,结构最稳定,这与电子态密度的计算结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹志民	中南大学材料科学与工程学院	233	3801	29.0	51.0
2	谢佑卿	中南大学材料科学与工程学院	53	311	10.0	14.0