Si基体二维深通道微孔列阵刻蚀技术

• 作者: 向嵘 李野 王国政 王新 田景全 端木庆铎 陈立 高延军
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基体 二维通道电子倍增器 微孔列阵 感应耦合等离子体 光电化学刻蚀
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 729-733
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7|TN304.12|TB383
• 字数: 3847字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.12.011

摘要

Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现.简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6～10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0,μm/min的实验样品,指出了深通道内壁存在纵向条带不均匀分布现象、成因和解决途径;重点论述了微孔深通道列阵PEC刻蚀原理和实验方法,在优化的光电化学工艺参数下,得到了方孔边长3.0μm、中心距为6.0μm、深度约为160μm的n型Si基二维深通道微孔列阵基体样品,得出了辐照光强、Si基晶向与HF的质量分数是影响样品质量的结论,指出了光电化学刻蚀工艺的优越性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田景全		24	327	8.0	17.0
2	高延军		10	90	5.0	9.0
3	李野		68	297	9.0	13.0
4	端木庆铎		56	241	8.0	12.0
5	王国政		51	208	8.0	11.0
6	王新		42	87	5.0	6.0
7	向嵘		12	57	5.0	6.0
11	陈立		3	16	3.0	3.0