0.6μm CMOS工艺折叠共源共栅运算放大器设计

• 作者: 罗广孝 马海杰
• 来源期刊: 华北电力大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 运算放大器 折叠共源共栅 CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 103-106
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2691.2008.03.022

摘要

折叠共源共栅结构改进了传统的两级运算放大器的输入范围和电源电压抑制特性,优化了二阶性能指标.利用mosis 0.6μm CMOS工艺模型参数,设计了折叠共源共栅结构的运算放大器,对各性能参数的仿真结果表明:该电路的开环增益为80 dB,单位增益带宽为20 MHz,相位裕度73°,功耗仅为3 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马海杰	华北电力大学电气与电子工程学院	7	41	3.0	6.0
2	罗广孝	华北电力大学电气与电子工程学院	17	97	5.0	9.0