32 nm及其以下技术节点CMoS技术中的新工艺及新结构器件

• 作者: 刘晓彦 康晋锋 张兴 王阳元 黄如
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 关键词: 集成电路 纳米尺度 金属栅/高k栅介质 超薄体 SOI 器件 准弹道输运
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 921-932
• 页数: 12页
• 语种: 中文

摘要

32 nm及其以下技术节点的发展需要从器件结构、加工技术以及材料选用等各个方面进行创新,其中金属栅/高k栅介质的新型栅结构,以应变硅为代表的沟道迁移率增强技术,以及以FinFET为代表的新型非平面MOSFET结构均成为32 nm及其以下技术节点的候选技术.将对金属栅/高k栅介质等适用于32 nm及其以下技术节点的研究进展加以论述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如		87	413	9.0	17.0
2	张兴		120	618	12.0	20.0
3	王阳元		78	1128	15.0	32.0
4	刘晓彦		41	268	9.0	15.0
5	康晋锋		23	358	9.0	18.0