GaAs掺杂3d过渡族金属材料的局域电子结构和磁性

• 作者: 段海明 蔺何
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 关键词: 稀磁半导体 密度泛函理论 3d过渡族金属 原子团模型 电子结构
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 513-522
• 页数: 10页
• 语种: 中文

摘要

运用原子团模型研究了GaAs掺杂3d过渡族金属(Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法,计算结果表明这8种掺杂元素的磁矩先增大再减小(按Sc-Ni排列),当Mn被掺杂到GaAs后,磁矩达到极大,且Mn的磁矩在掺杂浓度为1.4%时与实验符合得很好,在包含两个掺杂原子的体系中,掺杂原子之间的耦合形式有明显的变化,对于不同的掺杂元素,掺杂原子和最近邻的As原子之间的耦合形式也有不同的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段海明		46	125	6.0	8.0
2	蔺何		5	15	2.0	3.0