过渡金属原子掺杂对单层MoS2磁性的影响

• 作者: 牛兴平 窦立璇
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 过渡金属掺杂 二硫化钼 电子结构 磁性性质
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 160-164
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5
• 字数: 1830字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2019.01.026

摘要

本文利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法分别计算了本征及过渡金属掺杂单层MoS2的晶格参数、电子结构和磁性性质.计算结果显示,过渡金属掺杂所引起的晶格畸变与杂质原子的共价半径有联系,但并不完全取决于共价半径的大小.分析电子结构可以看到,VIIB、VIII和IB族杂质中除Ag和Re外的掺杂体系都对外显示磁性,磁矩主要集中在掺杂的过渡金属原子上.掺杂体系的禁带区域都出现了数目不等的杂质能级,这些杂质能级主要由杂质的d、S的3p和Mo的4d轨道组成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛兴平	安阳工学院数理学院	9	16	2.0	4.0
2	窦立璇	安阳工学院数理学院	7	4	1.0	2.0