La，Ce，Nd掺杂对单层MoS2电子结构的影响

• 作者: 吴胜宝 张志勇 张玉明 郭辉 陈德林 雷天民
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 第一性原理 二硫化钼 稀土掺杂 电子结构
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 067301-1-067301-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.067301

摘要

为了研究稀土掺杂对单层MoS2电子结构的影响,文章基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了本征及La, Ce, Nd掺杂单层MoS2的晶格参数、能带结构、态密度和差分电荷密度。计算发现,稀土掺杂所引起的晶格畸变与杂质原子的共价半径大小有关, La杂质附近的键长变化最大, Nd杂质附近的键长变化最小。能带结构分析表明, La掺杂可以在MoS2的禁带中引入3个能级, Ce掺杂可以形成6个新能级, Nd掺杂可以形成4个能级,并对杂质能级属性进行了初步分析。差分电荷密度分布显示,稀土掺杂可以使单层MoS2中的电子分布发生改变,尤其是f电子的存在会使差分电荷密度呈现出反差极大的物理图象。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志勇	西北大学信息科学与技术学院	98	759	13.0	22.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院	126	777	15.0	20.0
3	雷天民	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	12	71	5.0	8.0
4	郭辉	西安电子科技大学微电子学院	21	161	9.0	12.0
5	吴胜宝	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	2	31	2.0	2.0
6	陈德林	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	1	19	1.0	1.0