Ag掺杂对单层MoS2的电子结构和光学性质影响

• 作者: 张富春 杨延宁 黄保瑞
• 来源期刊: 河南科学
• 关键词: Ag掺杂 第一性原理 MoS2 光学性质
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 物理与化学研究
• 页码范围: 524-527
• 页数: 4页
• 分类号: O471.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3918.2018.04.011

摘要

基于密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,计算了Ag掺杂单层MoS2中的能带结构、态密度和光学性质.计算结果显示单层MoS2具有直接带隙结构,禁带宽度为1.63 eV;Ag掺杂后,Ag 4d与S 3p,Mo 4d发生轨道杂化,在费米能级处产生了多条杂化能级,表现为半金属特性,其中吸收峰、反射峰和能量损失峰峰值均有不同程度减小并向低能方向发生偏移,计算结果为Ag掺杂单层MoS2的光电子器件制备提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨延宁	延安大学物理与电子信息学院	139	336	9.0	14.0
2	张富春	延安大学物理与电子信息学院	94	391	10.0	17.0
3	黄保瑞	延安大学物理与电子信息学院	20	62	4.0	7.0