Co对单层MoS2电子结构与磁性的影响

• 作者: 伏春平 孙凌涛 程正富
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁性 MoS2 能带结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 751-755
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 字数: 2813字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2017.04.026

摘要

为了研究Co对单层MoS2电子结构和磁性的影响, 本文基于第一性原理, 采用数值基组的方法计算了Co吸附式掺杂、Co替代式掺杂单层MoS2的能带结构、态密度以及分析了其结构的稳定性.结果发现:Co替换式掺杂体系的形成能较低,实验上容易实现;Co在Mo位吸附的稳定性强于在S位吸附;Mo位吸附体系的总磁矩为0.999 μB,其磁矩的主要来源于Co原子的吸附所贡献的0.984 μB,Co原子的掺杂体系总磁矩为1.029 μB,其磁矩的主要由Co原子替代掉一个Mo原子所贡献的磁矩为0.9444 μB,相比于吸附体系,Co原子对磁矩的贡献率有所降低;无论是Co 吸附在单层MoS2表面还是Co直接替代掉Mo原子的掺杂体系,Co原子3d轨道的引入是引起单层MoS2体系磁性的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程正富	重庆文理学院物理系	80	302	8.0	14.0
3	伏春平	重庆文理学院物理系	29	77	5.0	7.0
7	孙凌涛		1	3	1.0	1.0