Y,Zr,Nb掺杂对单层MoS2电子结构的影响

• 作者: 刘远全
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: MoS2 第一性原理 能带结构 态密度
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 页码范围: 1773-1777
• 页数: 5页
• 分类号: O649
• 字数: 3961字
• 语种: 中文

摘要

本文基于第一性原理的方法研究了Y、Zr、Nb在Mo位掺杂单层MoS2的能带结构和态密度.研究发现:Y、Zr、Nb三种杂质在Mo位掺杂使杂质原子附近的键长发生畸变,畸变最大的是Y掺杂体系;Y、Zr、Nb的掺杂改变了单层MoS2能能带结构,使掺杂体系向导体转变;对于Y、Zr、Nb共掺杂体系,Y、Zr共掺杂增强了单层MoS2导电性能;Y、Nb共掺杂单层MoS2的费米能级穿过杂质能级,此处的能级处于半满状态,容易成为电子的俘获中心;Zr、Nb共掺杂体系的禁带中出现了多条杂质能级,同时导带能量上移;Y、Zr、Nb共掺杂可以很大程度改变单层MoS2材料的电子结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘远全	重庆财经职业学院应用设计系	14	25	3.0	4.0