缺陷对单层MoS2电子结构的影响

• 作者: 伏春平 陈晓红
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 电子结构 MoS2 能带结构
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 929-933
• 页数: 5页
• 分类号: O641.12+1
• 字数: 2141字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2016.10.028

摘要

为了研究缺陷对单层MoS2的电子结构,本文基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用数值基组的方法计算了MoS2的Mo位缺陷、S位缺陷的能带结构和态密度。结果发现：Mo位缺陷、S位缺陷的MoS2的能带结构中的价带顶与导带底都在Q点,为直接带隙材料；其中Mo位缺陷体的禁带区域都出现5条新能级,S位缺陷体的禁带区域出现了3条新能级；缺陷体能带结构的能量下降与体系中未成键的电子有关。对于态密度而言, Mo位缺陷体的费米能级处出现了峰值,表明Mo位缺陷会对其光电性质带来影响。同时分析电荷分布发现, Mo缺陷周围存在着负电荷聚集的现象, S缺陷周围存在正电荷聚集的现象。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈晓红		9	18	3.0	4.0
2	伏春平		29	77	5.0	7.0