空位缺陷对单层MoS2力学性能的影响

• 作者: 崔艳雷 张威 张铭 林申晔 潘妍宏
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MoS2 空位缺陷 力学性能 分子动力学
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 238-243
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 3213字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2019.02.014

摘要

利用经典分子动力学方法,通过对单层MoS2力学行为进行单轴拉伸仿真模拟,研究空位缺陷对结构力学性能的影响.结合第一性原理计算,初步探索了单层MoS2的宏观力学行为与其微观电子结构变化的关联影响.模拟结果表明:空位缺陷使单层MoS2的力学性能严重劣化,且其影响程度随空位缺陷类型的不同而存在差异,与VS相比,VS2对上述力学性能的影响更为显著,浓度为0.4％的VS及VS2缺陷可使MoS2断裂极限下降10％和23％,且降幅随缺陷浓度的增加而增加.此外,单轴拉伸与VS、VS2等空位缺陷的存在,均可显著降低单层MoS2的禁带宽度,这可能与拉伸和空位缺陷均能引起Mo-d和S-p轨道杂化强度与Mo-S键键强的减弱有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张铭	北京工业大学材料科学与工程学院	44	107	6.0	8.0
2	张威	北京工业大学材料科学与工程学院	8	274	5.0	8.0
3	崔艳雷	北京工业大学材料科学与工程学院	3	1	1.0	1.0
4	潘妍宏	北京工业大学材料科学与工程学院	4	3	1.0	1.0
5	林申晔	北京工业大学材料科学与工程学院	4	3	1.0	1.0