点缺陷对单层MoS2电子结构及光学性质的影响研究

• 作者: 岑伟富 范梦慧 蔡勋明 谢泉 郭笑天 闫万珺 骆最芬
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MoS2 第一性原理 缺陷 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 456-462
• 页数: 7页
• 分类号: O472.+3
• 字数: 4103字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2015.03.019

摘要

采用基于第一性原理的贋势平面波方法，对不同类型点缺陷单层MoS2电子结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算.计算结果表明：单层MoS2属于直接带隙半导体，禁带宽度为1.749eV，Mo空位缺陷V－Mo的存在使得单层MoS2转化为间接带隙Eg ＝0.660eV的p型半导体，S空位缺陷V－S使得MoS2带隙变窄为Eg ＝0.985eV半导体，S原子替换Mo原子S－Mo反位缺陷的存在使得MoS2转化为带隙Eg ＝0.374eV半导体；Mo原子替换S原子Mo－S反位缺陷形成Eg ＝0.118eV直接带隙半导体.费米能级附近的电子态密度主要由Mo的4d态和s的3p态电子贡献.光学性质计算表明：空位缺陷对MoS2的光学性质影响最为显著，可以增大MoS2的静态介电常数、折射率n0和反射率，降低吸收系数和能量损失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学电子信息学院	133	486	12.0	17.0
2	范梦慧	贵州民族大学理学院	23	34	3.0	4.0
4	蔡勋明	贵州民族大学理学院	14	18	2.0	4.0
5	闫万珺	贵州大学电子信息学院	11	64	4.0	8.0
6	岑伟富	贵州民族大学理学院	23	27	3.0	4.0
7	骆最芬	贵州民族大学理学院	11	16	3.0	3.0
10	郭笑天	贵州大学电子信息学院	7	16	2.0	3.0