V，Cr，Mn掺杂MoS2磁性的第一性原理研究*

• 作者: 崔磊 曹娟 潘靖
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 单层MoS2 掺杂 铁磁态 第一性原理
• 年，卷（期）: 2013,（18）
• 页码范围: 404-410
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.187102

摘要

基于第一性原理的自旋极化密度泛函理论分别研究了过渡金属V, Cr, Mn掺杂单层MoS2的电子结构、磁性和稳定性。结果表明：V和Mn单掺杂均能产生一定的磁矩,而磁矩主要集中在掺杂的过渡金属原子上, Cr单掺杂时体系不显示磁性。进一步讨论双原子掺杂MoS2体系中掺杂原子之间的磁耦合作用发现, Mn掺杂的体系在室温下显示出稳定的铁磁性,而V掺杂则表现出非自旋极化基态。形成能的计算表明Mn掺杂的MoS2体系相对V和Cr掺杂结构更稳定。由于Mn掺杂的MoS2不仅在室温下可以获得比较好的铁磁性而且其稳定性很高,有望在自旋电子器件方面发挥重要的作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔磊	宿迁学院基础部	30	88	5.0	8.0
2	曹娟	宿迁学院基础部	8	14	1.0	3.0
3	潘靖	扬州大学物理与科学学院	13	49	4.0	6.0