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单层MoS2分子掺杂的第一性原理研究
单层MoS2分子掺杂的第一性原理研究
作者:
刘俊
吴琼
梁培
沈涛
舒海波
邢凇
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
MoS2
密度泛函理论
有机分子吸附
分子掺杂
摘要:
基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法的计算,研究了通过吸附不同有机分子对单层MoS2进行化学掺杂。计算结果表明有机分子与MoS2单层衬底间的相互作用主要是范德瓦尔斯作用力。吸附不同有机分子的单层MoS2结构均表现出间接带隙的特征,还表明吸附TTF分子的单层MoS2结构表现出n型半导体的特质,而吸附TCNQ, TCNE两种分子的单层MoS2结构均表现出p型半导体的性质,这些结果表明可以通过改变吸附的分子来实现对单层MoS2的掺杂类型的调控。本文的研究结果将对单层MoS2在晶体管中的应用提供理论基础和指导。
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篇名
单层MoS2分子掺杂的第一性原理研究
来源期刊
物理学报
学科
关键词
MoS2
密度泛函理论
有机分子吸附
分子掺杂
年,卷(期)
2014,(11)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向
页码范围
117101-1-117101-6
页数
1页
分类号
字数
语种
中文
DOI
10.7498/aps.63.117101
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梁培
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吴琼
中国计量学院光学与电子科技学院
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密度泛函理论
有机分子吸附
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物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
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35
总被引数(次)
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英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
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http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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