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摘要:
本文运用第一性原理研究了单层MoS2在S位吸附Ag6团簇的稳定性、能带结构和态密度.结果表明,Ag6团簇在S位单点位吸附的稳定性强于双点位吸附、三点位吸附;其中吸附体系禁带中产生了2条杂质能级,原因在于Ag原子与S形成共价键下的施主能级与受主能级;Ag6团簇在单层MoS2的吸附导致态密度峰值在费米能级处发生劈裂,说明Ag6团簇的吸附会增强单层MoS2的光电特性;单层MoS2的能带结构可以通过表面吸附Ag6团簇以及金属团簇进行调控;在实际的生产应用中依据不同的金属团簇吸附于单层MoS2表面得到需要的的半导体器件.
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文献信息
篇名 单层MoS2表面吸附Ag6团簇电子结构的第一性原理计算
来源期刊 原子与分子物理学报 学科 化学
关键词 Ag6团簇 单层MoS2 能带结构 态密度
年,卷(期) 2018,(1) 所属期刊栏目 团簇与纳米结构
研究方向 页码范围 54-58
页数 5页 分类号 O65
字数 3434字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-0364.2018.01.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 伏春平 重庆文理学院物理系 29 77 5.0 7.0
2 欧汉文 重庆文理学院物理系 5 6 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
Ag6团簇
单层MoS2
能带结构
态密度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
原子与分子物理学报
双月刊
1000-0364
51-1199/O4
大16开
成都市一环路南一段24号
62-54
1986
chi
出版文献量(篇)
4271
总下载数(次)
1
总被引数(次)
10724
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