BiCMOS工艺的高线性度下变频混频器设计

• 作者: 吴建辉 李雪刚
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 射频集成电路设计 BiCMOS 吉尔伯特单元 线性度
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件
• 页码范围: 500-502
• 页数: 3页
• 分类号: TN773
• 字数: 2436字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.030

摘要

利用BiCMOS工艺设计了一种高线性度下变频混频器.在此变频混频器的设计中结合了双极型工艺在射频段的高性能以及MOS工艺的高线性度,并利用其对传统的吉尔伯特单元进行了优化.基于JAZZ 0.35μm标准BiCMOS SBC35工艺设计参数对混频器进行了设计和仿真,仿真结果表明该混频器获得了良好的性能指标,转换增益为9.3 dB,输入3阶互调点达到了16 dBm,在5 V单电源下消耗1.9 mA的电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴建辉	东南大学集成电路学院	102	725	13.0	20.0
2	李雪刚	东南大学集成电路学院	1	3	1.0	1.0