用自制总积分散射仪评估SiC基底表面改性效果

• 作者: 王彤彤 王笑夷 申振峰 郑宣鸣 陈红 高劲松
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 总积分散射仪 SiC反射镜 表面改性
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 1841-1846
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4|TN307
• 字数: 3922字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2008.10.009

摘要

根据总积分散射理论自制了半球式总积分散射仪,建立了系统规范的测试方法,并应用其对工程中SiC基底表面改性的效果进行了相关检测和评估.改性后RB-SiC和S-SiC基底的散射系数分别降低到2.86%和1.53%,已接近于抛光良好的微晶玻璃的水平(1.38%).该散射仪的优点是操作简单、方便快捷、不接触样品、对表面无损害.通过对测试数据的分析可知,从散射特性角度对SiC基底表面改性效果进行评估是合理有效的.把相关测试结果与分光光度计的测试结果对比,测量偏差在1.1%左右,说明该总积分散射仪的测试结果准确可靠.