电容耦合氧等离子体处理ITO基片对OLED的影响

• 作者: 密保秀 谢国伟 陆希朗 高志强
• 来源期刊: 南京邮电大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 有机电致发光 表面处理 功函数
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 信息显示
• 页码范围: 48-52
• 页数: 5页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 3284字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5439.2008.01.009

摘要

在不同条件下采用电容耦合氧等离子体处理用于有机电致发光(OLED)的ITO基片,使用接触电势法测量了基片表面功函数的改变.研究发现,氧等离子体处理可以有效地提高ITO表面的功函数.X射线光电子能谱的测量揭示了其本质:氧等离子体处理可以提高表面氧原子的含量,同时降低ITO表面锡/铟原子的比例,由此导致了ITO表面功函数的提高.高功函数的ITO可降低空穴由ITO向OLED空穴传输层中注入空穴的势垒,从而提高OLED器件的性能.进一步的基于联苯二胺衍生物NPB/8-羟基喹啉铝(Alq3)的标准器件的研究证明了这一点.研究同时发现,在相同的真空和氧压条件下,保持处理时间不变,随着射频激发功率的升高,ITO表面功函数会逐渐降低.这个功函数的降低,使得OLED器件的驱动电压升高且电流效率减小.因此使用电容耦合氧等离子体处理的ITO来制备OLED器件,需要在优化的条件下进行,以达最佳效果.在本实验系统下处理条件为射频功率100 W、时间25 s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢国伟	香港浸会大学先进发光材料中心	11	71	6.0	7.0
2	密保秀	南京邮电大学江苏省有机电子与信息显示重点实验室	8	64	3.0	8.0
6	高志强	南京邮电大学江苏省有机电子与信息显示重点实验室	11	77	4.0	8.0
10	陆希朗	香港浸会大学先进发光材料中心	1	10	1.0	1.0